M85-01

Nanofold India
曲線因子
79.09 - 80.2 %
変換効率
18.8 - 20 %
技術
単結晶
出力領域
4.593 - 4.886 Wp
地域
インド インド
外形寸法
156.75×156.75 mm
電池厚み
200 ± 20 µm
母線数
5
バスバー幅
1.1 mm
ソルダリングパッドの幅
1.8 mm
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注意:お問い合わせはNanofold India.に直接に送信されます。

製品の特徴

型式
18.8 19.0 19.1 19.2 19.3 19.4 19.5 19.6 19.7 19.8 19.9 20
結晶種類 単結晶
外形寸法 156.75×156.75 mm
対角線 210±0.5 mm
電池厚み 200 ± 20 µm
 
母線数 5
バスバー幅 1.1 mm
バスバー材質
反射防止膜 窒化シリコン
 
ソルダリングパッドの幅 1.8 mm
裏面電界 (BSF) アルミ
 
最大出力 (Pmax)
4.593 W 4.642 W 4.666 W 4.691 W 4.715 W 4.74 W 4.764 W 4.789 W 4.813 W 4.837 W 4.862 W 4.886 W
公称最大出力動作電圧 (Vmpp)
0.541 V 0.545 V 0.546 V 0.547 V 0.548 V 0.549 V 0.549 V 0.549 V 0.549 V 0.548 V 0.549 V 0.549 V
公称最大出力動作電流 (Impp)
8.49 A 8.52 A 8.55 A 8.58 A 8.61 A 8.64 A 8.67 A 8.72 A 8.77 A 8.82 A 8.86 A 8.9 A
公称開放電圧 (Voc)
0.634 V 0.635 V 0.636 V 0.636 V 0.637 V 0.638 V 0.639 V 0.64 V 0.641 V 0.642 V 0.643 V 0.644 V
公称短絡電流 (Isc)
9.16 A 9.2 A 9.23 A 9.25 A 9.28 A 9.3 A 9.33 A 9.35 A 9.38 A 9.41 A 9.44 A 9.46 A
変換効率
18.8 % 19.0 % 19.1 % 19.2 % 19.3 % 19.4 % 19.5 % 19.6 % 19.7 % 19.8 % 19.9 % 20 %
曲線因子 (FF)
79.09 % 79.48 % 79.52 % 79.78 % 79.82 % 79.94 % 79.84 % 80 % 80.08 % 80.01 % 80.14 % 80.2 %
 
温度係数(Pmax) -0.42 %/˚C
温度係数(Voc) -0.33 %/˚C
温度係数(Isc) 0.05 %/˚C
強度依存性
強度
開回路電圧
Vmpp
1000 W/m2
1.0
--
会社ロゴ

Nanofold India

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nanofold.net/
インド インド
3, Bellary Road, Opp. White Petals Palace, RMV Extension, Sadashivanagar, Bangalore, Karnataka, 560080
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