6'' Mono

MOSPEC Semiconductor Corporation

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M183-N TYPE 16BB TOPCon	¥119

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83.57 %

24.1 ~ 26.0 %

TOPCon

8.7 Wp

182x183.75 mm

130 µm

74.9 - 77.13 %

17 - 18.49 %

4.07 - 4.4 Wp

156×156 mm

180 ± 30 µm

バスバー幅

75 mm

はんだパッドの番号

ソルダリングパッドの幅

75 mm

製品情報
会社のプロフィール

製品の特徴

型式

6S 170

6S 171

6S 172

6S 173

6S 174

6S 175

6S 176

6S 177

6S 178

6S 179

6S 180

6S 181

6S 182

6S 183

6S 184

結晶種類

単結晶

外形寸法

156×156 mm

対角線

200±1 mm

電池厚み

180 ± 30 µm

母線数

バスバー幅

75 mm

反射防止膜

窒化シリコン

はんだパッドの番号

ソルダリングパッドの幅

75 mm

最大出力 (Pmax)

4.07 W

4.09 W

4.11 W

4.14 W

4.17 W

4.19 W

4.21 W

4.24 W

4.26 W

4.28 W

4.31 W

4.33 W

4.35 W

4.38 W

4.4 W

公称最大出力動作電圧 (Vmpp)

0.506 V

0.507 V

0.508 V

0.509 V

0.511 V

0.512 V

0.513 V

0.515 V

0.516 V

0.517 V

0.519 V

0.52 V

0.521 V

0.522 V

0.523 V

公称最大出力動作電流 (Impp)

8.04 A

8.06 A

8.1 A

8.14 A

8.16 A

8.18 A

8.21 A

8.23 A

8.25 A

8.28 A

8.31 A

8.32 A

8.35 A

8.39 A

8.42 A

公称開放電圧 (Voc)

0.62 V

0.621 V

0.622 V

0.623 V

0.624 V

0.625 V

0.626 V

0.627 V

0.628 V

0.629 V

0.63 V

0.631 V

0.632 V

0.633 V

公称短絡電流 (Isc)

8.76 A

8.77 A

8.78 A

8.8 A

8.82 A

8.84 A

8.86 A

8.88 A

8.89 A

8.9 A

8.92 A

8.93 A

8.96 A

8.99 A

9.02 A

変換効率

17-17.09 %

17.1-17.19 %

17.2-17.29 %

17.3-17.39 %

17.4-17.49 %

17.5-17.59 %

17.6-17.69 %

17.7-17.79 %

17.8-17.89 %

17.9-17.99 %

18-18.09 %

18.1-18.19 %

18.2-18.29 %

18.3-18.39 %

18.4-18.49 %

曲線因子 (FF)

74.9 %

75.03 %

75.35 %

75.57 %

75.76 %

75.8 %

75.94 %

76.12 %

76.25 %

76.59 %

76.87 %

76.9 %

76.95 %

77.08 %

77.13 %

温度係数（Pmax）

-0.45 %/˚C

温度係数（Voc）

-0.35 %/˚C

温度係数（Isc）

0.04 %/˚C

強度依存性

強度

開回路電圧

Vmpp

1000 W/m²

800 W/m²

0.989

500 W/m²

0.968

300 W/m²

0.946

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データシート

MOSPEC Semiconductor Corporation

: Click to show company phone
: https://www.mospec.com.tw
: 台湾
: No.76, Chungshan Road, Hsinshin Township, Tainan

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