5'' Mono

MOSPEC Semiconductor Corporation
曲線因子
75.52 - 78.07 %
変換効率
17 - 18.69 %
技術
単結晶
出力領域
2.64 - 2.87 Wp
地域
台湾 台湾
外形寸法
125×125 mm
電池厚み
190 ± 30 µm
母線数
2
バスバー幅
62 mm
はんだパッドの番号
2

製品の特徴

型式
5L 170 5L 171 5L 172 5L 173 5L 174 5L 175 5L 176 5L 177 5L 178 5L 179 5L180 5L 181 5L 182 5L 183 5L 184 5L 185 5L 186
結晶種類 単結晶
外形寸法 125×125 mm
対角線 165±1 mm
電池厚み 190 ± 30 µm
 
母線数 2
バスバー幅 62 mm
反射防止膜 窒化シリコン
 
はんだパッドの番号 2
 
最大出力 (Pmax)
2.64 W 2.65 W 2.66 W 2.68 W 2.7 W 2.72 W 2.73 W 2.75 W 2.77 W 2.78 W 2.8 W 2.81 W 2.82 W 2.83 W 2.85 W 2.86 W 2.87 W
公称最大出力動作電圧 (Vmpp)
0.514 V 0.515 V 0.516 V 0.517 V 0.519 V 0.519 V 0.52 V 0.523 V 0.524 V 0.525 V 0.525 V 0.525 V 0.526 V 0.526 V 0.527 V 0.527 V 0.528 V
公称最大出力動作電流 (Impp)
5.13 A 5.15 A 5.16 A 5.18 A 5.2 A 5.24 A 5.25 A 5.26 A 5.29 A 5.3 A 5.33 A 5.35 A 5.37 A 5.39 A 5.41 A 5.43 A 5.45 A
公称開放電圧 (Voc)
0.628 V 0.628 V 0.628 V 0.629 V 0.63 V 0.63 V 0.63 V 0.631 V 0.632 V 0.632 V 0.633 V 0.633 V 0.634 V 0.634 V 0.634 V 0.636 V 0.638 V
公称短絡電流 (Isc)
5.56 A 5.57 A 5.58 A 5.59 A 5.6 A 5.63 A 5.66 A 5.69 A 5.71 A 5.71 A 5.72 A 5.72 A 5.73 A 5.75 A 5.76 A 5.79 A 5.8 A
変換効率
17-17.09 % 17.1-17.19 % 17.2-17.29 % 17.3-17.39 % 17.4-17.49 % 17.5-17.59 % 17.6-17.69 % 17.7-17.79 % 17.8-17.89 % 17.9-17.99 % 18-18.09 % 18.1-18.19 % 18.2-18.29 % 18.3-18.39 % 18.4-18.49 % 18.5-18.59 % 18.6-18.69 %
曲線因子 (FF)
75.52 % 75.82 % 75.98 % 76.17 % 76.5 % 76.67 % 76.56 % 76.62 % 76.81 % 77.1 % 77.28 % 77.57 % 77.75 % 77.77 % 78.07 % 77.71 % 77.76 %
 
温度係数(Pmax) -0.45 %/˚C
温度係数(Voc) -0.44 %/˚C
温度係数(Isc) -0.044 %/˚C
強度依存性
強度
開回路電圧
Vmpp
1000 W/m2
1
--
800 W/m2
0.989
--
500 W/m2
0.968
--
300 W/m2
0.946
--
 
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会社ロゴ

MOSPEC Semiconductor Corporation

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台湾 台湾
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