タイプ: | 薄膜 (a-Si) |
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出力領域: | Wp |
地域: | 中国 |
型式 |
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規定検査条件化での性能 | ||
最大出力(Pmax) |
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最大出力作動電圧(Vmpp) |
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最大出力作動電流(Impp) |
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開放電圧(Voc) |
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短絡電流(Isc) |
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JIS規定検査条件(AM 1.5, 放射照度 1000W/m2, モジュール温度 25°C) | ||
公称動作環境での性能 | ||
最大出力(Pmax) |
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最大出力作動電圧(Vmpp) |
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最大出力作動電流(Impp) |
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開放電圧(Voc) |
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短絡電流(Isc) |
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最大耐久温度 | 45 °C | |
公称動作条件(放射照度800W/m2, AM 1.5, 風速1m/s,ambient temperature 20°C) | ||
温度特性 | ||
温度係数(Isc) | 0.08 %/°C | |
システム統合パラメータ | ||
最大入力電圧 | 1000 V | |
その他仕様情報 | ||
セルタイプ | 薄膜(a-Si) |