Multi 3 Bus Bars

Multi 3 Bus Bars

Sino-American Silicon Products Inc.
セルタイプ: 多結晶
出力領域: 4~4.3 Wp
地域: 台湾 台湾
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代替製品

AV-156.75M

Allesun New Energy
スタート価格 ¥23.5 / Wp
  • 最大出力: 5.14 W
  • セルタイプ: PERC
  • 外形寸法: 156.75×156.75 mm
  • 対角線: 210±0.5 mm
  • 電池厚み: 200 µm

製品の特徴

型式
Multi 3 Bus Bars 4 Multi 3 Bus Bars 4.03 Multi 3 Bus Bars 4.05 Multi 3 Bus Bars 4.08 Multi 3 Bus Bars 4.10 Multi 3 Bus Bars 4.12 Multi 3 Bus Bars 4.15 Multi 3 Bus Bars 4.17 Multi 3 Bus Bars 4.20 Multi 3 Bus Bars 4.22 Multi 3 Bus Bars 4.25 Multi 3 Bus Bars 4.27 Multi 3 Bus Bars 4.30
製品の特徴  
結晶種類 多結晶
外形寸法 156×156 mm
対角線 220 mm
電池厚み 180/200 ± 30 µm
表面 (-)  
母線数 3
規定検査条件化での性能  
最大出力 (Pmax)
4 W 4.03 W 4.05 W 4.08 W 4.1 W 4.12 W 4.15 W 4.17 W 4.2 W 4.22 W 4.25 W 4.27 W 4.3 W
公称最大出力動作電圧 (Vmpp)
0.513 V 0.515 V 0.517 V 0.519 V 0.52 V 0.521 V 0.523 V 0.525 V 0.527 V 0.527 V 0.528 V 0.528 V 0.529 V
公称最大出力動作電流 (Impp)
7.801 A 7.822 A 7.84 A 7.859 A 7.884 A 7.915 A 7.933 A 7.951 A 7.972 A 8.01 A 8.043 A 8.089 A 8.12 A
公称開放電圧 (Voc)
0.6131 V 0.6147 V 0.6164 V 0.6182 V 0.6197 V 0.6207 V 0.6222 V 0.6235 V 0.6244 V 0.6262 V 0.6271 V 0.6278 V 0.6285 V
公称短絡電流 (Isc)
8.315 A 8.335 A 8.352 A 8.369 A 8.395 A 8.423 A 8.441 A 8.456 A 8.476 A 8.522 A 8.558 A 8.578 A 8.597 A
変換効率
16.4-16.5 % 16.5-16.6 % 16.6-16.7 % 16.7-16.8 % 16.8-16.9 % 16.9-17 % 17-17.1 % 17.1-17.2 % 17.2-17.3 % 17.3-17.4 % 17.4-17.5 % 17.5-17.6 % 17.6-17.7 %
曲線因子 (FF)
78.5 % 78.62 % 78.73 % 78.84 % 78.8 % 78.88 % 79 % 79.17 % 79.38 % 79.1 % 79.13 % 79.31 % 79.5 %
温度特性  
温度係数(Pmax) -0.389 %/˚C
温度係数(Voc) -0.3199 %/˚C
温度係数(Isc) 0.052 %/˚C
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Sino-American Silicon Products Inc.

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www.saswafer.com
台湾
No. 8, Industrial East 2nd Road, Hsinchu Science Park, Hsinchu
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